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英飞凌推出SiC沟槽型超结(TSJ)技术 |
2025/5/9
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英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)作为碳化硅(SiC)功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者,始终以卓越性能与高可靠性相结合的解决方案引领行业。目前,CoolSiC™产品系列覆盖了400V至3.3kV的电压范围,应用领域包括汽车动力传动系统、电动汽车充电、光伏系统、储能及高功率牵引逆变器等。现在,英飞凌又凭借丰富的SiC业务开发经验以及在硅基电荷补偿器件(CoolMOS™)领域的创新优势,推出了SiC沟槽型超结(TSJ)技术。 |
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