国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基化合物半导体激光器”的专利，公开号CN 119627617 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体激光元件技术领域，具体公开了一种氮化镓基化合物半导体激光器。该氮化镓基化合物半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，上波导层与上限制层之间具有强布里渊光力耦合层；强布里渊光力耦合层的In/C元素比例具有函数y＝A+x‑1/2x第一四象限曲线分布；In/O元素比例具有函数y＝B+x‑1/2x第一四象限曲线分布；In/H元素比例具有函数y＝C+x‑1/2x第一四象限曲线分布；该氮化镓基化合物半导体激光器，能够降低激光光场耗散，抑制光场模式泄漏到衬底形成驻波，提升远场图像FFP质量、光束质量因子和激光相干性。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币，实缴资本1316.6667万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息455条，此外企业还拥有行政许可12个。 | 
