10月16日，方正微电子发文称，公司作为第三代半导体领域的IDM企业，当前有两个fab。Fab1当前已实现SiC产能9000片/月（6英寸），预计2024年底产能将达到1.4万片/月，2025年将具备16.8万片/年车规SiC MOS生产能力，GaN当前产能4000片/月。Fab2的8英寸SiC生产线将于2024年底通线，长远规划产能6万片/月。此外，方正微电子当前已建成的车规SiC MOS生产能力，中国第一。

当前，方正微电子系列产品覆盖了新能源汽车应用的全场景：1200V 16m/18m/20mΩ应用于主驱逆变控制器，1200V 35m/60m/85mΩ应用于OBC，1200V 60m/85mΩ应用于DC/DC，1200V 60m/85mΩ应用于空调压缩机，1200V 16m/20m/35m/60mΩ应用于充电桩等场景。方正微电子车规1200V SiC MOS产品已经规模应用，特别是在新能源汽车主驱控制器上规模上车。

方正微电子表示，公司车规SiC MOS 1200V全系产品的性能已达到国际当前主流芯片水平。以1200V/16mΩ及1200V/20mΩ主驱控制器应用芯片为例，其Vgs/Rds/Igs/Idss/Rth/Qg等核心性能关键指标，可媲美当前高端新能源车上应用的国际同行SiC MOS产品，个别指标领先，完全符合新能源汽车应用需求。

据悉，方正微电子工规SiC MOS/ SiC SBD 1200V系列产品早已于2023年一季度开始大规模量产，广泛应用在光伏、储能、充电、UPS、工业电源等领域，目前已出货SiC晶圆超4万片。