天眼查知识产权信息显示，江苏能华微电子科技发展有限公司取得一项名为“一种 GaN 肖特基二极管及其制备方法“，授权公告号 CN118231482B，申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示，本发明属于功率电子器件技术领域，具体涉及一种 GaN 肖特基二极管及其制备方法。本发明提供的 GaN 肖特基二极管包括衬底、设置在衬底上表面的 GaN 层、AlGaN 层、阴极、钝化层和阳极；阴极同时与 GaN 层和 AlGaN 层欧姆接触；AlGaN 层上表面远离所述阴极的一侧且非边缘的区域设置有多个分离的 PGaN 柱，相邻 PGaN 柱之间填充有 NiO 层；所述阳极的一部分与所述 PGaN 柱和 NiO 层肖特基接触。本发明对 GaN 肖特基二极管的结构和材料进行优化，利用 NiO 的弱 p 型半导体性能，降低了正向开启电压；同时利用 pGaN 柱对二维电子气的强耗尽作用，保证了器件具有高的反向耐压，有效提高了 GaN 肖特基二极管的性能。