| 赛灵思日前公布了采用新一代工艺的产品计划，将采用TSMC（台积电）的16纳米 FinFET+ 的FinFET 3D晶体管工艺。新工艺的芯片将于2015年第二季度首次流片，预计会在2015年第四季度开始首次发货。赛灵思公司全球高级副总裁、亚太区执行总裁汤立人(Vincent Tong)在深圳媒体见面会上公布了这一消息。
（图文）赛灵思公司全球高级副总裁、亚太区执行总裁汤立人表示赛灵思的16纳米技术“继续遥遥领先”。
汤立人认为，在4G/LET-A、早期的5G通信和8K4K视频、大型数据中心、汽车ADAS、软件定义网络以及工业物联网等应用上，将会于处理芯片的性能与功耗的可扩展性、集成集成与智能化、系统的安全、保密性和可靠性上提出更高的要求，需要更先进工艺的芯片来满足这些先进应用的需求。“2020年日本东京奥运会上将采用8K/4K分辨率电视转播，”他说。
汤立人介绍说，赛灵思公司的16纳米UltraScale+系列的FPGA、3D IC和MPSoC凭借新型“3D-on-3D”和多处理SoC(MPSoC)技术，加上全新的互联 SmartConnect技术，将大幅提升系统性能功耗比。“相比28纳米器件，它将提升系统性能功耗比达2至5倍，同时还有更高的系统集成度、智能化和最高级别的安全性。”
新的16纳米艺FF+器件包括了Kintex UltraScale+ FPGA和Vertex UltraScale+ FPGA以及3D IC系列。“考虑到不同客户的需求，用于通信市场的Kintex将会是最早流片的芯片，然后才是Virtext Zync。”赛灵思公司全球高级副总裁汤立人表示。目前赛灵思的Kintex UltraScale+ FPGA的目标应用是通信基站类应用。
新一代16纳米芯片取得四大技术的突破：
赛灵思公司全球高级副总裁、亚太区执行总裁汤立人表示赛灵思新一代16纳米芯片是自28纳米和20纳米以来，与竞争对手相比的“第三次工艺上的领先”，他也总结了新一代芯片取得的四大方面的技术突破：
1、集成的SRAM存储器增强最大至432Mb。通过对SRAM集成的支持，由过去的数十Mb的Block RAM增加到现在的UltraRAM的数百M级。最高容量高达432Mb，可以取代外部存储器，从而有助于降低成本与功耗，同时提升性能。
2、SmartConnect技术。它是一种新的FPGA互联优化技术，通过智能笼统级互联优化，可额外提供20%至30%的性能、面积和功耗优势。
3、业界首项的3D-on-3D技术。高端UltraScale+系列集成了3D晶体管(FinFET + 3D晶体管工艺)和赛灵思第三代3D IC的组合功耗优势。二者的结合，可实现系统集成度和单位功耗带宽的非线性提升。
4、异构多处理技术。在Zynq UltraScale MPSoC上，实现了异构多处理技术，从而能够实现“为合适任务提供合适引擎”。而新的器件相比之前的处理解决方案更是可将系统级性能功耗比提升约5倍。位于处理子系统中心的是64位四核 ARM Cortex-A53处理器内核，能实现硬件虚拟化和非对称处理，并全面支持ARM TrustZone。处理子系统还集成了双核ARM Cortex-R5实时处理器、ARM Mali-400MP图形处理器和H.265视频编解码器等。
赛灵思20纳米FPGA在1月宣布发货
Xilinx在1月宣布业界最大容量半导体器件VirtexUltraScale VU440 FPGA开始发货，它拥有提供超过5000万个ASIC等效门及高出竞争产品4倍的容量。“这块芯片中含有近190亿个晶体管，相当于地球上每个人三个晶体管。”汤立人说。
VirtexUltraScale VU440 FPGA的实物照片
这款VirtexUltraScale VU440 FPGA凭借其5000万个ASIC等效门的容量以及业界最高I/O数量，并通过利用UltraScale架构的类似ASIC时钟功能、新一代布线以及逻辑块增强功能，提供了业界最佳的器件利用率，从而使其成为ASIC原型设计和大规模仿真应用的理想选择。
VirtexUltraScale VU440 FPGA是采用采用20nm工艺第2代3D IC工艺。 | 
