| 被动组件巨擘日本村田制作所(Murata Manufacturing Co. Ltd.)宣布以4.71亿美元收购无晶圆厂RF IC制造商Peregrine Semiconductor Corp.，这项交易不仅使村田取得Peregrine先进的RF-SOI制程技术，并有助于使其在扩展RF组件与无线业务之路迈出重要的一步。
专精于制造RF模块与滤波器的村田制作所将有机会取得Peregrine先进的RF-SOI绝缘上覆硅制程技术以及RF前端性能，以及包括180项(申请与申请中)专利的广泛IP产品组合。Peregrine则将成为村田制作所的全资子公司，这项收购交易将有助于加快其推动广泛采用整合型全CMOS RF前端的目标。
“这项交易将为两家公司带来巨大的潜在机会。彼此的核心能力具有很强的互补性。村田制作所主导着全球滤波器与封装技术，而Peregrine则在RF-SOI技术与RF产品占主导地位，”Peregrine营销副总裁Duncan Pilgrim表示。
他并补充说，两家公司的结合，还可望在通讯、汽车以及消费电子市场带来合并综效，使得合并后的新公司“得以在这些市场扩展业务范围。”
两家公司并非初次合作。事实上，村田正是Peregrine的最大客户，多年来一直授权Peregrine的专利与UltraCMOS技术。去年，村田同意向Peregrine采购其RF开关与组件，以换取购买或制造其RF CMOS IP的授权。村田还打算结合Peregrine的开关组合、采用蓝宝石上覆硅(SOS)制造的可调谐组件──更昂贵的RF SOI，以及村田的滤波器与封装技术，打造一款更完整的RF前端解决方案。
Peregrine的UltraCMOS RF IC的制造采用SOS技术或增强型SOI作为绝缘基底。Peregrine基于SOS的RF芯片采用南韩Magnachip的代工制造。然而，Peregrine最近正推动其低成本的RF-SOI制程，开始在其代工伙伴GlobalFoundries出样其首批采用UltraCMOS 10 RF SOI 技术制程制造的RF开关。 UltraCMOS 10 RF SOI技术采用GlobalFoundries基于200mm晶圆的130nm制程技术。
该公司最近还推出了首款可重配置RF前端 UltraCMOS Global 1，透过为全球市场创造出一款单一SKU设计，让4G LTE平台供货商和OEM得以大幅降低成本。透过采用Peregrine的RF前端能力与SOI制程技术，可望为村田打造更完整的RF供应链，使其有潜力成为针对智能手机与无线装置市场供应RF组件的主要供货商之一。
“RF产业持续迈向整并，Peregrine与村田的客户正为其RF设计需求寻找一站式解决方案，”Pilgrim说。
事实上，RF芯片市场正经历前所未有的整并。例如，TriQuint Semiconductor和RF Micro Devices (RFMD)这两家主要的芯片公司在今年稍早宣布以16亿美元全股票方式合并，预计将创造出一家无线组件巨擘，能够因应简化手持与设备设计需求提供所有关键RF建构模块。此外，美商亚德诺(Analog Devices Inc.；ADI)也在去年6月以20亿美元现金收购RF芯片制造商Hittite Microwave Corp.，进一步扩展其RF业务。 | 
