搜索库存
 
 
  网站首页 关于我们 新闻中心 产品展示 客户服务 人力资源 联系我们 English  
新闻中心
 
公司新闻
国内新闻
国际新闻
半导体资讯
首页->新闻中心->半导体资讯
东京大学研发“掺镓氧化铟晶体”取代硅材料  [2025-6-30]
总投资5亿元 精位科技超宽带车规芯片模组项目预计8月完工  [2025-6-27]
镓仁半导体实现晶圆级6英寸斜切氧化镓衬底制备  [2025-6-25]
深圳平湖实验室成功制备国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管  [2025-6-25]
越海集成12英寸智能微流控芯片产线首台设备入厂  [2025-6-24]
投资1.5亿元 诺天碳化硅半导体设备与基材生产基地项目投产  [2025-6-23]
德州仪器宣布600亿美元投资计划，建设7座晶圆厂  [2025-6-20]
中电化合物与甬江实验室签署战略合作框架协议，推动SiC材料在AR领域的创新应用  [2025-6-19]
国内首条碳基集成电路生产线于重庆投运！  [2025-6-18]
大厂开始停供DDR4内存，美光报价涨50%  [2025-6-17]
第一页 上一页 下一页 最后页     第7页/共11页 共110条记录 转到：第页
　
版权所有：深圳市荣飞天誉电子科技有限公司
地址:深圳市福田区华强北群星广场A座32楼3201-3205 电话：86-755-82722825 82551781 82783455 82730163传真：86-755-82722893   邮箱：hch@hchtech.com 网站：www.hchtech.com 粤ICP备2021058379号 技术支持：互联万维网